창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5261B-G3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MMBZ5225-G thru MMBZ5267-G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 105옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5261B-G3-08 | |
관련 링크 | MMBZ526, MMBZ5261B-G3-08 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 416F384X3CDT | 38.4MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X3CDT.pdf | |
![]() | TC-25.000MCD-T | 25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TC-25.000MCD-T.pdf | |
![]() | BZX384C9V1-E3-18 | DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323 | BZX384C9V1-E3-18.pdf | |
![]() | VLF252010MT-220M | 22µH Shielded Wirewound Inductor 450mA 1.26 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | VLF252010MT-220M.pdf | |
![]() | MCT06030C1001FP500 | RES SMD 1K OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C1001FP500.pdf | |
![]() | CRCW2512110RFKEG | RES SMD 110 OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512110RFKEG.pdf | |
![]() | RG3216P-2322-B-T5 | RES SMD 23.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2322-B-T5.pdf | |
![]() | RN73C1J1K58BTDF | RES SMD 1.58KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J1K58BTDF.pdf | |
![]() | Y006212K7000V0L | RES 12.7K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y006212K7000V0L.pdf | |
![]() | P51-15-S-T-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-15-S-T-P-20MA-000-000.pdf | |
![]() | B57861S202J40 | NTC Thermistor 2k Bead | B57861S202J40.pdf |