ON Semiconductor MMSZ4682T1G
- 제조업체 부품 번호
- MMSZ4682T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MMSZ4682T1G 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 27.78685
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MMSZ4682T1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MMSZ4682T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMSZ4682T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MMSZ4682T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MMSZ4682T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ4682T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MMSZ4yyyT1G, SZMMSZ4yyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ4682T1G-ND MMSZ4682T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ4682T1G | |
| 관련 링크 | MMSZ4, MMSZ4682T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
MMSZ4682T1G 의 관련 제품
 | UEP2A221MHD | 220µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UEP2A221MHD.pdf | |
| 225P33494YD3 | ORANGE DROP | 225P33494YD3.pdf | |
 | 595D336X96R3A2W | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 1507 (3718 Metric) 1.7 Ohm 0.146" L x 0.071" W (3.70mm x 1.80mm) | 595D336X96R3A2W.pdf | |
 | 08055J1R5BBTTR | 1.5pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J1R5BBTTR.pdf | |
 | 416F40012AAR | 40MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40012AAR.pdf | |
| CR3AS-8B#B00 | THYRISTOR | CR3AS-8B#B00.pdf | |
 | MJD45H11-1G | TRANS PNP 80V 8A IPAK | MJD45H11-1G.pdf | |
| AP2012SF4C | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.3V 50mA 0.8mW/sr @ 20mA 120° 2012 (5030 Metric) | AP2012SF4C.pdf | |
 | S2-0R033J8 | RES SMD 0.033 OHM 5% 1W 2615 | S2-0R033J8.pdf | |
| Y14870R00100F9R | RES SMD 0.001 OHM 1% 1W 2512 | Y14870R00100F9R.pdf | |
 | Y006220K0000F0L | RES 20K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y006220K0000F0L.pdf | |
| MS46SR-20-350-Q1-10X-10R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-20-350-Q1-10X-10R-NC-FN.pdf |
