Vishay BC Components MMSZ5240C-HE3-18
- 제조업체 부품 번호
- MMSZ5240C-HE3-18
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MMSZ5240C-HE3-18 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 52.92970
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MMSZ5240C-HE3-18, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. MMSZ5240C-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMSZ5240C-HE3-18, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MMSZ5240C-HE3-18 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MMSZ5240C-HE3-18 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5240C-HE3-18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MMSZ(5225 -5267) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5240C-HE3-18 | |
| 관련 링크 | MMSZ5240, MMSZ5240C-HE3-18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
MMSZ5240C-HE3-18 의 관련 제품
-5.jpg) | CL05A105KP5NNND | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05A105KP5NNND.pdf | |
 | 12101C104K4T2A | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12101C104K4T2A.pdf | |
 | VJ0603D910GXBAR | 91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D910GXBAR.pdf | |
 | VJ0805D431GLBAT | 430pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D431GLBAT.pdf | |
 | 402F260XXCJT | 26MHz ±15ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F260XXCJT.pdf | |
 | IRFS7787PBF | MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK | IRFS7787PBF.pdf | |
| 2150-10H | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 690mA 650 mOhm Max Axial | 2150-10H.pdf | |
| S0402-8N2J1C | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 130 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-8N2J1C.pdf | |
| RSS3W1K0JTB | RES 1.00K OHM 3W 5% AXIAL | RSS3W1K0JTB.pdf | |
 | CMF55499K00FKEA | RES 499K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55499K00FKEA.pdf | |
| CMF60330R00FKEB | RES 330 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60330R00FKEB.pdf | |
| MBB0207CC2002FC100 | RES 20K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB0207CC2002FC100.pdf |
