창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRF8S9100HSR5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MRF8S9100HR3/HSR3 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 06/Mar/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 920MHz | |
이득 | 19.3dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 500mA | |
전력 - 출력 | 72W | |
전압 - 정격 | 70V | |
패키지/케이스 | NI-780S | |
공급 장치 패키지 | NI-780S | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MRF8S9100HSR5 | |
관련 링크 | MRF8S9, MRF8S9100HSR5 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | 200MXC820MEFCSN25X40 | 820µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 200MXC820MEFCSN25X40.pdf | |
![]() | VJ0603D1R0DLBAP | 1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R0DLBAP.pdf | |
![]() | 18127A221JAT2A | 220pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 18127A221JAT2A.pdf | |
![]() | ECH-U1H272JB5 | 2700pF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | ECH-U1H272JB5.pdf | |
![]() | 067706.3MXEP | FUSE CERAMIC 6.3A 250VAC AXIAL | 067706.3MXEP.pdf | |
![]() | 7M25070006 | 25MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M25070006.pdf | |
![]() | SIT3809AC-2-25NE | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 36mA | SIT3809AC-2-25NE.pdf | |
![]() | KBL410G | DIODE BRIDGE 1000V 4A KBL | KBL410G.pdf | |
![]() | BZX84C75-E3-18 | DIODE ZENER 75V 300MW SOT23-3 | BZX84C75-E3-18.pdf | |
![]() | MRF6V2300NR1 | FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 | MRF6V2300NR1.pdf | |
![]() | TNPW121076K8BEEN | RES SMD 76.8K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121076K8BEEN.pdf |