창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRF8S9200NR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MRF8S9200NR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 940MHz | |
이득 | 19.9dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.4A | |
전력 - 출력 | 58W | |
전압 - 정격 | 70V | |
패키지/케이스 | OM-780-2 | |
공급 장치 패키지 | OM-780-2 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MRF8S9200NR3 | |
관련 링크 | MRF8S9, MRF8S9200NR3 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | CD6CD050DO3 | 5pF Mica Capacitor 500V Radial 0.276" L x 0.094" W (7.00mm x 2.40mm) | CD6CD050DO3.pdf | |
![]() | 406I35B22M00000 | 22MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35B22M00000.pdf | |
![]() | SIT1602AC-12-33E-33.330000E | OSC XO 3.3V 33.33MHZ | SIT1602AC-12-33E-33.330000E.pdf | |
![]() | RT1C060UNTR | MOSFET N-CH 20V 6A TSST8 | RT1C060UNTR.pdf | |
![]() | IRGP4063-EPBF | IGBT 600V 96A 330W TO247AD | IRGP4063-EPBF.pdf | |
![]() | CLF6045T-330M-H | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 103 mOhm Nonstandard | CLF6045T-330M-H.pdf | |
![]() | 9405R-32 | 47µH Shielded Inductor 242mA 3.7 Ohm Max Radial | 9405R-32.pdf | |
![]() | ERJ-12SF5622U | RES SMD 56.2K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF5622U.pdf | |
![]() | RT0603BRD0741R2L | RES SMD 41.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0741R2L.pdf | |
![]() | PHP00805H1522BBT1 | RES SMD 15.2K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1522BBT1.pdf | |
![]() | CMF5510K200BEBF | RES 10.2K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5510K200BEBF.pdf |