창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRFE6VP8600HR5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MRFE6VP8600H | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 860MHz | |
이득 | 19.3dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.4A | |
전력 - 출력 | 125W | |
전압 - 정격 | 130V | |
패키지/케이스 | NI-1230 | |
공급 장치 패키지 | NI-1230 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MRFE6VP8600HR5TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MRFE6VP8600HR5 | |
관련 링크 | MRFE6VP, MRFE6VP8600HR5 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
![]() | LSRK200.X | FUSE CRTRDGE 200A 600VAC/300VDC | LSRK200.X.pdf | |
![]() | 5KP36AHE3/54 | TVS DIODE 36VWM 58.1VC P600 | 5KP36AHE3/54.pdf | |
![]() | MMBD6100LT1 | DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3 | MMBD6100LT1.pdf | |
![]() | VS-20ETF10STRR-M3 | DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB | VS-20ETF10STRR-M3.pdf | |
![]() | HLMP-LG71-VY0DD | Red 626nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | HLMP-LG71-VY0DD.pdf | |
![]() | P1812R-183H | 18µH Unshielded Inductor 400mA 875 mOhm Max Nonstandard | P1812R-183H.pdf | |
![]() | F10J1K5E | RES CHAS MNT 1.5K OHM 5% 10W | F10J1K5E.pdf | |
![]() | SMF32K2JT | RES SMD 2.2K OHM 5% 3W 4122 | SMF32K2JT.pdf | |
![]() | RT0603WRB072K87L | RES SMD 2.87K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRB072K87L.pdf | |
![]() | RCP0505B620RJTP | RES SMD 620 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B620RJTP.pdf | |
![]() | MRS25000C1828FCT00 | RES 1.82 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1828FCT00.pdf | |
![]() | 0896BL14B050T | RF Balun 851MHz ~ 941MHz 50 / 50 Ohm 0603 (1608 Metric) | 0896BL14B050T.pdf |