창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRFG35010ANT1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MRFG35010AN Series | |
PCN 포장 | PLD1.5 Devices 26/Jun/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | pHEMT FET | |
주파수 | 3.55GHz | |
이득 | 10dB | |
전압 - 테스트 | 12V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 130mA | |
전력 - 출력 | 9W | |
전압 - 정격 | 15V | |
패키지/케이스 | PLD-1.5 | |
공급 장치 패키지 | PLD-1.5 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | MRFG35010ANT1-ND MRFG35010ANT1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MRFG35010ANT1 | |
관련 링크 | MRFG35, MRFG35010ANT1 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | UNR5119G0L | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 | UNR5119G0L.pdf | |
![]() | PA4301.683NLT | 68µH Shielded Wirewound Inductor 607mA 364 mOhm Max Nonstandard | PA4301.683NLT.pdf | |
![]() | CRGV2010J120K | RES SMD 120K OHM 5% 1/2W 2010 | CRGV2010J120K.pdf | |
![]() | CRT1206-BY-2002ELF | RES SMD 20K OHM 0.1% 1/4W 1206 | CRT1206-BY-2002ELF.pdf | |
![]() | RG2012P-8251-W-T5 | RES SMD 8.25KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-8251-W-T5.pdf | |
![]() | RCP0603W620RJEB | RES SMD 620 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W620RJEB.pdf | |
![]() | CRA04S0434K30JTD | RES ARRAY 2 RES 4.3K OHM 0404 | CRA04S0434K30JTD.pdf | |
![]() | 4309R-101-820 | RES ARRAY 8 RES 82 OHM 9SIP | 4309R-101-820.pdf |