창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MSRTA60080(A) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MSRTA60060 thru 600100(A) Three Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 600A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 600V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MSRTA60080(A)GN MSRTA60080A | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MSRTA60080(A) | |
관련 링크 | MSRTA6, MSRTA60080(A) Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | 08055G223ZAT2A | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055G223ZAT2A.pdf | |
![]() | FNM-6-1/4 | FUSE CARTRIDGE 6.25A 250VAC 5AG | FNM-6-1/4.pdf | |
AT-8.000MAGK-T | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-8.000MAGK-T.pdf | ||
![]() | 445W2XK24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W2XK24M57600.pdf | |
![]() | VS-ST303C12LFK0L | SCR 1200V 1180A B-PUK | VS-ST303C12LFK0L.pdf | |
![]() | MCD700-16IO1W | SCR THRYRISTOR 1600V WC-500 | MCD700-16IO1W.pdf | |
![]() | 2SD2675TL | TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | 2SD2675TL.pdf | |
![]() | 742792640 | 300 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Signal Line 300mA 1 Lines 350 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | 742792640.pdf | |
![]() | NLV25T-027J-PF | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 410mA 400 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-027J-PF.pdf | |
![]() | RC55Y-100KBI | RES 100K OHM 0.25W 0.1% AXIAL | RC55Y-100KBI.pdf | |
![]() | NXFT15XV103FA2B140 | NTC Thermistor 10k Bead | NXFT15XV103FA2B140.pdf |