창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MTD3055VL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MTD3055VL | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 6A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MTD3055VL-ND MTD3055VLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MTD3055VL | |
관련 링크 | MTD3, MTD3055VL Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
E36D600LPN154TEM9M | 150000µF 60V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D600LPN154TEM9M.pdf | ||
URU2D680MRD | 68µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | URU2D680MRD.pdf | ||
04023A8R2DAT2A | 8.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023A8R2DAT2A.pdf | ||
06032U7R5BAT2A | 7.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06032U7R5BAT2A.pdf | ||
FA28C0G2A391JNU06 | 390pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA28C0G2A391JNU06.pdf | ||
VJ0603D180JXBAJ | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D180JXBAJ.pdf | ||
GRM1555C1E8R0CZ01D | 8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E8R0CZ01D.pdf | ||
AT-16.000MAOQ-T | 16MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-16.000MAOQ-T.pdf | ||
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