창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MTP3055VL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MTP3055VL TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 6A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MTP3055VLFS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MTP3055VL | |
관련 링크 | MTP3, MTP3055VL Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | CB10JB3R60 | RES 3.6 OHM 10W 5% CERAMIC WW | CB10JB3R60.pdf | |
![]() | CB10JB6R20 | RES 6.2 OHM 10W 5% CERAMIC WW | CB10JB6R20.pdf | |
![]() | H480R6BDA | RES 80.6 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H480R6BDA.pdf | |
![]() | PF2472-36KF1 | RES 36K OHM 100W 1% TO247 | PF2472-36KF1.pdf | |
![]() | MAX2150ETI+T | RF Modulator IC 700MHz ~ 2.3GHz 28-WFQFN Exposed Pad | MAX2150ETI+T.pdf |