창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUN5136DW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MUN5136DW1, NSBA115EDXV6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 100k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MUN5136DW1T1G | |
관련 링크 | MUN513, MUN5136DW1T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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SQCB7M4R3BAJME | 4.3pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M4R3BAJME.pdf | ||
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HL02220GTTR | 22nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.317 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | HL02220GTTR.pdf | ||
CLS6D23NP-1R5NC | 1.5µH Unshielded Inductor 1.95A 31 mOhm Max Nonstandard | CLS6D23NP-1R5NC.pdf | ||
CRCW12101K00FKEA | RES SMD 1K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12101K00FKEA.pdf | ||
CRCW0603187KDKEAP | RES SMD 187K OHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW0603187KDKEAP.pdf | ||
CB3JB3R30 | RES 3.3 OHM 3W 5% CERAMIC WW | CB3JB3R30.pdf | ||
Y0062105R850T9L | RES 105.85 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0062105R850T9L.pdf | ||
NSCSNNN150PDUNV | Pressure Sensor ±150 PSI (±1034.21 kPa) Differential 0 mV ~ 258.5 mV (5V) 4-SIP Module | NSCSNNN150PDUNV.pdf | ||
HSCDRRN2.5MD2A3 | Pressure Sensor 0.04 PSI (0.25 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRN2.5MD2A3.pdf |