창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUN5211DW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MUN5211DW1, NSBC114EDxx | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MUN5211DW1T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MUN5211DW1T1G | |
관련 링크 | MUN521, MUN5211DW1T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | P1167.823NL | 82µH Shielded Wirewound Inductor 770mA 350 mOhm Max Nonstandard | P1167.823NL.pdf | |
![]() | S0402-68NH3 | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 1.18 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-68NH3.pdf | |
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![]() | ERJ-6ENF1544V | RES SMD 1.54M OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF1544V.pdf | |
![]() | CRCW06031R21FNEA | RES SMD 1.21 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031R21FNEA.pdf | |
![]() | RCS08055K10FKEA | RES SMD 5.1K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08055K10FKEA.pdf | |
RSMF2FB69R8 | RES METAL OX 2W 69.8 OHM 1% AXL | RSMF2FB69R8.pdf |