ON Semiconductor MUN5213T1G
- 제조업체 부품 번호
- MUN5213T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MUN5213T1G 가격 및 조달
가능 수량
16150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 17.41836
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MUN5213T1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MUN5213T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUN5213T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MUN5213T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MUN5213T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MUN5213T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MUN(2,5)213, MMUN2213L, DTC144Exx, NSBC144EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 29/Oct/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 202mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-3(SOT323) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MUN5213T1G-ND MUN5213T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MUN5213T1G | |
| 관련 링크 | MUN52, MUN5213T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
MUN5213T1G 의 관련 제품
 | MAL215657272E3 | 2700µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 97 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215657272E3.pdf | |
 | VJ1210A820JBLAT4X | 82pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A820JBLAT4X.pdf | |
 | 5KP54AHE3/54 | TVS DIODE 54VWM 87.1VC P600 | 5KP54AHE3/54.pdf | |
 | DSC1101AI2-148.5000 | 148.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101AI2-148.5000.pdf | |
 | SBR8E60P5-7 | DIODE ARRY SBR 60V 8A POWERDI5 | SBR8E60P5-7.pdf | |
 | GPA015A120MN-ND | IGBT 1200V 30A 212W TO3PN | GPA015A120MN-ND.pdf | |
 | 744750420047 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 8.7A 8.5 mOhm Max Radial, Vertical Cylinder | 744750420047.pdf | |
| CLS4D09NP-6R8NC | 6.8µH Shielded Inductor 630mA 260 mOhm Max Nonstandard | CLS4D09NP-6R8NC.pdf | |
| CJT3001R2JJ | RES CHAS MNT 1.2 OHM 5% 300W | CJT3001R2JJ.pdf | |
.jpg) | RT1206BRE0735R7L | RES SMD 35.7 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0735R7L.pdf | |
 | ERJ-B3CFR02V | RES SMD 0.02 OHM 1/2W 0805 WIDE | ERJ-B3CFR02V.pdf | |
.jpg) | CRCW060320K0FKTC | RES SMD 20K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060320K0FKTC.pdf |
