창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR20040CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MUR20040CT thru 20060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 90ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MUR20040CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MUR20040CTR | |
관련 링크 | MUR20, MUR20040CTR Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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CSM4Z-A2B3C3-60-7.3728D18 | 7.3728MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM4Z-A2B3C3-60-7.3728D18.pdf | ||
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![]() | ASTMHTD-106.250MHZ-XR-E-T | 106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-106.250MHZ-XR-E-T.pdf | |
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![]() | SPW15N60CFDFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247 | SPW15N60CFDFKSA1.pdf | |
![]() | 8532R-44K | 3.9mH Unshielded Inductor 200mA 8.63 Ohm Max 2-SMD | 8532R-44K.pdf | |
![]() | ERA-2AEB3401X | RES SMD 3.4K OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB3401X.pdf | |
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![]() | AF164-FR-07100KL | RES ARRAY 4 RES 100K OHM 1206 | AF164-FR-07100KL.pdf | |
![]() | CPCC101R500JB32 | RES 1.5 OHM 10W 5% RADIAL | CPCC101R500JB32.pdf | |
![]() | PPT0005GWW5VA | Pressure Sensor 5 PSI (34.47 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0005GWW5VA.pdf |