창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MURD620CTT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MURD620CT | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1560 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | SWITCHMODE™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 35ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 200V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MURD620CTT4GOS MURD620CTT4GOS-ND MURD620CTT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MURD620CTT4G | |
관련 링크 | MURD62, MURD620CTT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | SMA6J20AHM3/5A | TVS DIODE 20VWM 31.4VC DO-214AC | SMA6J20AHM3/5A.pdf | |
![]() | AOCJY2A-100.000MHZ-E-SW | 100MHz Sine Wave OCXO Oscillator Through Hole 5V | AOCJY2A-100.000MHZ-E-SW.pdf | |
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![]() | PM43-2R7M-RC | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 2.43A 52 mOhm Max Nonstandard | PM43-2R7M-RC.pdf | |
![]() | 4922-29J | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 1.58 Ohm Max 2-SMD | 4922-29J.pdf | |
![]() | AT0603DRD07255RL | RES SMD 255 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD07255RL.pdf | |
![]() | RT0805CRB075K1L | RES SMD 5.1K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB075K1L.pdf | |
![]() | RN73C1E1K43BTDF | RES SMD 1.43KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E1K43BTDF.pdf | |
![]() | CRCW0603249KFKTB | RES SMD 249K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603249KFKTB.pdf | |
![]() | RSF12JB3K30 | RES MO 1/2W 3.3K OHM 5% AXIAL | RSF12JB3K30.pdf | |
![]() | 8117 | Magnet Neodymium Iron Boron (NdFeB) N35 2.000" L x 1.000" W x 0.250" H (50.8mm x 25.4mm x 6.35mm) | 8117.pdf |