GeneSiC Semiconductor MURT10020
- 제조업체 부품 번호
- MURT10020
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MURT10020 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 68,200.70000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MURT10020, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. MURT10020 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT10020, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MURT10020 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MURT10020 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MURT10020 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MURT10005 thru 10020R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | - | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 75ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MURT10020GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MURT10020 | |
| 관련 링크 | MURT, MURT10020 Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
MURT10020 의 관련 제품
-2.jpg) | C0402X5R1C471K020BC | 470pF 16V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402X5R1C471K020BC.pdf | |
 | BFC241913003 | 0.03µF Film Capacitor 125V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC241913003.pdf | |
 | VIT1080C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-262AA | VIT1080C-M3/4W.pdf | |
 | 1N5358BE3/TR12 | DIODE ZENER 22V 5W T18 | 1N5358BE3/TR12.pdf | |
 | IPB65R110CFDAATMA1 | MOSFET N-CH TO263-3 | IPB65R110CFDAATMA1.pdf | |
 | 18R223C | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 2.42A 25 mOhm Max Radial, Vertical Cylinder | 18R223C.pdf | |
 | NLV25T-3R3J-EFD | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 185mA 1.9 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-3R3J-EFD.pdf | |
 | RG1608P-362-P-T1 | RES SMD 3.6KOHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608P-362-P-T1.pdf | |
| RG1608V-4121-W-T1 | RES SMD 4.12K OHM 1/10W 0603 | RG1608V-4121-W-T1.pdf | |
.jpg) | CRCW06036M80JNTA | RES SMD 6.8M OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW06036M80JNTA.pdf | |
| 753123330GP | RES ARRAY 6 RES 33 OHM 12SRT | 753123330GP.pdf | |
 | FMP300JT-73-220K | RES 220K OHM 3W 5% AXIAL | FMP300JT-73-220K.pdf |
