ON Semiconductor MVSF2N02ELT1G
- 제조업체 부품 번호
- MVSF2N02ELT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MVSF2N02ELT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 223.87200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MVSF2N02ELT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MVSF2N02ELT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MVSF2N02ELT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MVSF2N02ELT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MVSF2N02ELT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MVSF2N02ELT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MGSF2N02EL | |
| PCN 설계/사양 | Wire Chg 26/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC(4V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MVSF2N02ELT1G | |
| 관련 링크 | MVSF2N, MVSF2N02ELT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
MVSF2N02ELT1G 의 관련 제품
 | EEE-FK1V330AP | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | EEE-FK1V330AP.pdf | |
 | LQR2W472MSEG | 4700µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5000 Hrs @ 85°C | LQR2W472MSEG.pdf | |
 | FK26C0G1H683J | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FK26C0G1H683J.pdf | |
 | 06031A0R5CAT4A | 0.50pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A0R5CAT4A.pdf | |
 | VJ0603D360KLAAP | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D360KLAAP.pdf | |
 | AQ147A3R0BAJME | 3pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147A3R0BAJME.pdf | |
 | 1N6037 | TVS DIODE 6.5VWM 12.5VC DO13 | 1N6037.pdf | |
| SIT8918AE-11-33S-100.000000E | OSC XO 3.3V 100MHZ ST | SIT8918AE-11-33S-100.000000E.pdf | |
| BZX84C6V8LT1G | DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3 | BZX84C6V8LT1G.pdf | |
 | BZX85C3V9-TR | DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41 | BZX85C3V9-TR.pdf | |
 | 1812R-393H | 39µH Unshielded Inductor 211mA 4.5 Ohm Max 2-SMD | 1812R-393H.pdf | |
| MRS16000C5101FC100 | RES 5.1K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C5101FC100.pdf |
