창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDS352AP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NDS352AP Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 900mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 135pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NDS352APTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NDS352AP | |
관련 링크 | NDS3, NDS352AP Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | CPPLT1-LT56T | 1MHz ~ 100MHz TTL XO (Standard) Programmable Oscillator Through Hole 3.3V 25mA Enable/Disable | CPPLT1-LT56T.pdf | |
![]() | NVMFS6B14NWFT3G | MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL | NVMFS6B14NWFT3G.pdf | |
![]() | H7N1002LSTL-E | MOSFET N-CH 100V LDPAK | H7N1002LSTL-E.pdf | |
![]() | RT0402FRD0739RL | RES SMD 39 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD0739RL.pdf | |
![]() | MCW0406MD5620BP100 | RES SMD 562 OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD5620BP100.pdf | |
![]() | CMF55511R00FKBF39 | RES 511 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55511R00FKBF39.pdf |