창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDT03N40ZT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NDD03N40Z, NDT03N40Z | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4옴 @ 600mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223(TO-261) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NDT03N40ZT1G | |
관련 링크 | NDT03N, NDT03N40ZT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
VJ1812Y561JBGAT4X | 560pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y561JBGAT4X.pdf | ||
416F37035ILR | 37MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37035ILR.pdf | ||
CB3LV-3I-50M0000 | 50MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 40mA Enable/Disable | CB3LV-3I-50M0000.pdf | ||
SIT8008BI-22-33E-64.000000E | OSC XO 3.3V 64MHZ | SIT8008BI-22-33E-64.000000E.pdf | ||
SMAZ5931B-M3/5A | DIODE ZENER 18V 500MW DO214AC | SMAZ5931B-M3/5A.pdf | ||
2EZ170D5E3/TR12 | DIODE ZENER 170V 2W DO204AL | 2EZ170D5E3/TR12.pdf | ||
HS15 R33 J | RES CHAS MNT 0.33 OHM 5% 15W | HS15 R33 J.pdf | ||
RC2010FK-07205KL | RES SMD 205K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-07205KL.pdf | ||
CRCW25125K90FKTG | RES SMD 5.9K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25125K90FKTG.pdf | ||
RCP1206B130RJS2 | RES SMD 130 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B130RJS2.pdf | ||
TNPW201024K3BETF | RES SMD 24.3K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201024K3BETF.pdf | ||
43JR50 | RES 0.5 OHM 3W 5% AXIAL | 43JR50.pdf |