Renesas Electronics America NP33N06YDG-E1-AY
- 제조업체 부품 번호
- NP33N06YDG-E1-AY
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NP33N06YDG-E1-AY 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 844.62600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NP33N06YDG-E1-AY, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. NP33N06YDG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP33N06YDG-E1-AY, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NP33N06YDG-E1-AY 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NP33N06YDG-E1-AY 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NP33N06YDG-E1-AY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NP33N06YDG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSON | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NP33N06YDG-E1-AY-ND NP33N06YDG-E1-AYTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NP33N06YDG-E1-AY | |
| 관련 링크 | NP33N06Y, NP33N06YDG-E1-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
NP33N06YDG-E1-AY 의 관련 제품
 | 400MXK390MEFCSN35X25 | 390µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 400MXK390MEFCSN35X25.pdf | |
 | 0805YC104MAT4A | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805YC104MAT4A.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C689J3GACTU | 6.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C689J3GACTU.pdf | |
 | CDV30EF390FO3F | MICA | CDV30EF390FO3F.pdf | |
 | PUMD3,125 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | PUMD3,125.pdf | |
 | VLMG3102-GS08 | Green 569nm LED Indication - Discrete 2.2V 2-SMD, J-Lead | VLMG3102-GS08.pdf | |
 | NRS8030T220MJGJV | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 91 mOhm Max Nonstandard | NRS8030T220MJGJV.pdf | |
| 9406-38 | 150µH Shielded Inductor 153mA 9.2 Ohm Max Radial - 4 Leads | 9406-38.pdf | |
| SFH618A-3X006 | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP | SFH618A-3X006.pdf | |
.jpg) | CRGH1206F11R3 | RES SMD 11.3 OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F11R3.pdf | |
.jpg) | TNPW2010267KBEEY | RES SMD 267K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010267KBEEY.pdf | |
| CMF651K6200FKEB11 | RES 1.62K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651K6200FKEB11.pdf |
