Renesas Electronics America NP40N10YDF-E1-AY
- 제조업체 부품 번호
- NP40N10YDF-E1-AY
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NP40N10YDF-E1-AY 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,526.67760
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NP40N10YDF-E1-AY, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. NP40N10YDF-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP40N10YDF-E1-AY, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NP40N10YDF-E1-AY 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NP40N10YDF-E1-AY 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NP40N10YDF-E1-AY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NP40N10PDF, VDF, YDF Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerLDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSON | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NP40N10YDF-E1-AY | |
| 관련 링크 | NP40N10Y, NP40N10YDF-E1-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
NP40N10YDF-E1-AY 의 관련 제품
 | 2225GA222JAT1A | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225GA222JAT1A.pdf | |
| T95C106M025HZAS | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2812 (7132 Metric) 570 mOhm 0.280" L x 0.126" W (7.10mm x 3.20mm) | T95C106M025HZAS.pdf | |
| T86D107M6R3EAAS | 100µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D107M6R3EAAS.pdf | |
 | 445C22C12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 16pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C22C12M00000.pdf | |
 | FXO-HC530R-64 | 64MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC530R-64.pdf | |
 | SIT9002AI-33H33DO | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 51mA | SIT9002AI-33H33DO.pdf | |
 | BU1210-M3/51 | RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU | BU1210-M3/51.pdf | |
| PS02/A1032/63 | FILTER MAINS EMI 10A +VDR QC | PS02/A1032/63.pdf | |
 | ERA-2AEB2260X | RES SMD 226 OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB2260X.pdf | |
 | RG3216P-1503-B-T5 | RES SMD 150K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1503-B-T5.pdf | |
 | RCP1206B56R0GS2 | RES SMD 56 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B56R0GS2.pdf | |
| P51-50-G-W-I36-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-G-W-I36-20MA-000-000.pdf |
