창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP80N055MHE-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NP80N055xHE | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NP80N055MHE-S18-AY | |
관련 링크 | NP80N055M, NP80N055MHE-S18-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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18125C335MAZ2A | 3.3µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18125C335MAZ2A.pdf | ||
BFC236866823 | 0.082µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | BFC236866823.pdf | ||
BK/PCC-2-1/2-R | FUSE BRD MNT 2.5A 250VAC 450VDC | BK/PCC-2-1/2-R.pdf | ||
ABLS-6.000MHZ-K4T | 6MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-6.000MHZ-K4T.pdf | ||
445W25S25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 시리즈 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25S25M00000.pdf | ||
CPPC8-LT0RT | 1MHz ~ 100MHz CMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | CPPC8-LT0RT.pdf | ||
ERJ-8ENF1472V | RES SMD 14.7K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF1472V.pdf | ||
ERA-8AEB5761V | RES SMD 5.76K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB5761V.pdf | ||
AC0603FR-0791KL | RES SMD 91K OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-0791KL.pdf | ||
ASRM1JA4K70 | RES 4.7K OHM 1W 5% AXIAL | ASRM1JA4K70.pdf | ||
NJG1519KC1-TE3 | RF Switch IC GSM SP4T 2.5GHz 50 Ohm 10-FLP | NJG1519KC1-TE3.pdf |