창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP89N04MUK-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NP89N04MUK, NP89N04NUK | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 102nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NP89N04MUK-S18-AY | |
관련 링크 | NP89N04M, NP89N04MUK-S18-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | CRGV2010F4M75 | RES SMD 4.75M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F4M75.pdf | |
![]() | AP101 100R J | RES 100 OHM 100W 5% TO-247 | AP101 100R J.pdf | |
![]() | ROX3SG4R7 | RES 4.70 OHM 3W 2% AXIAL | ROX3SG4R7.pdf | |
![]() | NBPDLNS160MGUNV | Pressure Sensor 2.32 PSI (16 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 75.5 mV (5V) 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port | NBPDLNS160MGUNV.pdf |