ON Semiconductor NSBC123JDXV6T1G
- 제조업체 부품 번호
- NSBC123JDXV6T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NSBC123JDXV6T1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NSBC123JDXV6T1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NSBC123JDXV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSBC123JDXV6T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NSBC123JDXV6T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NSBC123JDXV6T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NSBC123JDXV6T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MUN5235DW1, NSBC123JDxx | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 03/Apr/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | NSBC123JDXV6T1GOSCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NSBC123JDXV6T1G | |
| 관련 링크 | NSBC123, NSBC123JDXV6T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NSBC123JDXV6T1G 의 관련 제품
 | EKMQ6R3ELL223MMP1S | 22000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | EKMQ6R3ELL223MMP1S.pdf | |
 | C1812C104K1RACTU | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C104K1RACTU.pdf | |
 | 12065A361GAT2A | 360pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A361GAT2A.pdf | |
 | P6SMB7.5CA | TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMD | P6SMB7.5CA.pdf | |
 | BUK9Y15-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK | BUK9Y15-60E,115.pdf | |
 | FDZ663P | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP | FDZ663P.pdf | |
 | MP6-3L-2W-05 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-3L-2W-05.pdf | |
| B82412A1122K | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 310mA 500 mOhm Max 2-SMD | B82412A1122K.pdf | |
| ELC-18E181L | 180µH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 67 mOhm Radial | ELC-18E181L.pdf | |
 | CMF601M3200DHR6 | RES 1.32M OHM 1W .5% AXIAL | CMF601M3200DHR6.pdf | |
| P51-200-A-D-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-A-D-I12-20MA-000-000.pdf | |
| E2E-C06N04-WC-C2 2M | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP67 Cylinder | E2E-C06N04-WC-C2 2M.pdf |
