창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSCDRRN002NDUNV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TSC/NSC Series Install Instr TSC/NSC Series DataSheet HSC, SSC, TSC, NSC Part Number Guide | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 압력 센서, 트랜스듀서 | |
제조업체 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | |
계열 | TruStability® NSC | |
부품 현황 | * | |
압력 유형 | 차동 | |
작동 압력 | ±0.07 PSI(±0.5 kPa) | |
출력 유형 | 휘트스톤 브리지 | |
출력 | 0 mV ~ 157.5 mV(5V) | |
정확도 | ±0.25% | |
전압 - 공급 | 2.7 V ~ 6.5 V | |
포트 크기 | 수 - 0.08"(1.93mm) 튜브, 이중 | |
포트 유형 | 가시형 | |
특징 | - | |
종단 유형 | PC 핀 | |
최대 압력 | ±9.76 PSI(±67.28 kPa) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
패키지/케이스 | 8DIP(0.524", 13.30mm), 이중 포트, 동일 측면 | |
공급 장치 패키지 | 8-DIP | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 480-5810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSCDRRN002NDUNV | |
관련 링크 | NSCDRRN, NSCDRRN002NDUNV Datasheet, Honeywell Sensing and Productivity Solutions Distributor |
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C1206C330JGGACTU | 33pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C330JGGACTU.pdf | ||
VJ0402D120GLAAC | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D120GLAAC.pdf | ||
2R5TPE220MLB | 220µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 2.5V 1411 (3528 Metric) 21 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | 2R5TPE220MLB.pdf | ||
2028-42-CFLF | GDT 420V 20% 20KA T/H FAIL SHORT | 2028-42-CFLF.pdf | ||
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AF0402FR-0784K5L | RES SMD 84.5K OHM 1% 1/16W 0402 | AF0402FR-0784K5L.pdf | ||
ERJ-S03F26R1V | RES SMD 26.1 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F26R1V.pdf | ||
RG2012N-8250-W-T1 | RES SMD 825 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-8250-W-T1.pdf | ||
Y08751K00000T9L | RES 1K OHM .3W .01% RADIAL | Y08751K00000T9L.pdf | ||
BGA7M1N6E6327XTSA1 | RF Amplifier IC LTE 1.8GHz ~ 2.2GHz TSNP-6-2 | BGA7M1N6E6327XTSA1.pdf |