창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSF8JTHE3_A/P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NS(F,B)8AT thru NS(F,B)8MT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 8A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
정전 용량 @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-2 절연처리, TO-220AC | |
공급 장치 패키지 | ITO-220AC | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSF8JTHE3_A/P | |
관련 링크 | NSF8JT, NSF8JTHE3_A/P Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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416F52022IAT | 52MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52022IAT.pdf | ||
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BC547C-AP | TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 | BC547C-AP.pdf | ||
ELL-5GM470M | 47µH Shielded Wirewound Inductor 390mA 930 mOhm Nonstandard | ELL-5GM470M.pdf | ||
MLP2016H1R0MT | 1µH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 112.5 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | MLP2016H1R0MT.pdf | ||
RCP0603W1K10JEB | RES SMD 1.1K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W1K10JEB.pdf | ||
741X043000XP | RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404 | 741X043000XP.pdf | ||
4416P-T01-103 | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 16SOIC | 4416P-T01-103.pdf | ||
CFR-25JR-52-160K | RES 160K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JR-52-160K.pdf | ||
OSCAR41/X/NTYPEF/S/S/29 | 826MHz, 1.95GHz WLAN Whip, Straight RF Antenna 790MHz ~ 862MHz, 1.71GHz ~ 2.18GHz 3dBi Connector, N Female Bracket Mount | OSCAR41/X/NTYPEF/S/S/29.pdf |