창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS12100M3T5G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NSS12100M3T5G | |
제품 교육 모듈 | Low Vce(sat) BJT Power Savings | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 19/May/2010 | |
카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 410mV @ 100mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-723 | |
공급 장치 패키지 | SOT-723 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | NSS12100M3T5G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSS12100M3T5G | |
관련 링크 | NSS121, NSS12100M3T5G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
![]() | CGA3E1X7R1V474K080AC | 0.47µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E1X7R1V474K080AC.pdf | |
![]() | VJ0402D360GLAAP | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D360GLAAP.pdf | |
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![]() | ABLS-16.384MHZ-L4Q-T | 16.384MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -55°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-16.384MHZ-L4Q-T.pdf | |
![]() | SIT8924AA-72-33E-24.000000E | OSC XO 3.3V 24MHZ OE | SIT8924AA-72-33E-24.000000E.pdf | |
![]() | 1-2176093-0 | RES SMD 11.5K OHM 0.1% 1/4W 0805 | 1-2176093-0.pdf | |
![]() | RT1206DRE0734R8L | RES SMD 34.8 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0734R8L.pdf | |
![]() | RW0S6BBR750FE | RES SMD 0.75 OHM 1% 0.6W 2010 | RW0S6BBR750FE.pdf | |
![]() | RCS040288R7FKED | RES SMD 88.7 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040288R7FKED.pdf | |
![]() | E3ZM-B86T-C | PET PNP M* 4 PIN 1-TURN W/REFL | E3ZM-B86T-C.pdf | |
![]() | E2FQ-X2E1 | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2FQ-X2E1.pdf |