창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS20501UW3T2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NSS20501UW3T2G | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 07/Sept/2011 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 125mV @ 400mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 875mW | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 3-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NSS20501UW3T2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSS20501UW3T2G | |
관련 링크 | NSS2050, NSS20501UW3T2G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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E-TA3216 T 4DB N5 | RF Attenuator 4dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 100mW 1206 (3216 Metric) | E-TA3216 T 4DB N5.pdf | ||
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