ON Semiconductor NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G
제조업체 부품 번호
NSS35200MR6T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
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TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
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내부 부품 번호EIS-NSS35200MR6T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서NSS35200MR6T1G
제품 교육 모듈Low Vce(sat) BJT Power Savings
PCN 설계/사양Copper Wire 08/Jun/2009
PCN 포장Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
카탈로그 페이지 1557 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)35V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic310mV @ 20mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 1.5A, 1.5V
전력 - 최대625mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름NSS35200MR6T1G-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NSS35200MR6T1G
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