창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS40300DDR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NSS40300DDR2G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V | |
전력 - 최대 | 653mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSS40300DDR2G | |
관련 링크 | NSS403, NSS40300DDR2G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | CGJ5C4C0G2H121J060AA | 120pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGJ5C4C0G2H121J060AA.pdf | |
![]() | RCE5C1H471J0DBH03A | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C1H471J0DBH03A.pdf | |
![]() | 17.5SFLSJ50 | FUSE 17.5KV 50AMP 3" DIN | 17.5SFLSJ50.pdf | |
![]() | 416F37425ADR | 37.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37425ADR.pdf | |
![]() | DSC2010FI1-A0003T | 25MHz, 75MHz, 125MHz, 150MHz CMOS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 14-SMD, No Lead (QFN, LCC) 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC2010FI1-A0003T.pdf | |
![]() | STP13NM60N | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | STP13NM60N.pdf | |
![]() | 5-2176089-7 | RES SMD 43.2K OHM 0.1% 1/6W 0603 | 5-2176089-7.pdf | |
![]() | ERA-8AEB6343V | RES SMD 634K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB6343V.pdf | |
![]() | AT0603DRD07549RL | RES SMD 549 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD07549RL.pdf | |
![]() | PRG3216P-1502-B-T5 | RES SMD 15K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-1502-B-T5.pdf | |
![]() | CMF6510R000FKR6 | RES 10 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6510R000FKR6.pdf |