ON Semiconductor NSV12100XV6T1G
- 제조업체 부품 번호
- NSV12100XV6T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS PNP 12V 1A SOT563
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NSV12100XV6T1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 216.97575
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NSV12100XV6T1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NSV12100XV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSV12100XV6T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NSV12100XV6T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NSV12100XV6T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NSV12100XV6T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NSS12100XV6T1G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 06/Jan/2015 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 440mV @ 100mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 650mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NSV12100XV6T1G | |
| 관련 링크 | NSV1210, NSV12100XV6T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NSV12100XV6T1G 의 관련 제품
 | EKMG101ETC2R2ME11D | 2.2µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EKMG101ETC2R2ME11D.pdf | |
| VJ0805D560GLBAP | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D560GLBAP.pdf | |
 | ECH-U1H821GB5 | 820pF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | ECH-U1H821GB5.pdf | |
 | SMCJ45A-M3/57T | TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO-214AB | SMCJ45A-M3/57T.pdf | |
 | TV02W8V0B-G | TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123 | TV02W8V0B-G.pdf | |
 | 9C24530001 | 24.576MHz ±20ppm 수정 20pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C24530001.pdf | |
 | IXFB62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 | IXFB62N80Q3.pdf | |
 | SI8447DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT | SI8447DB-T2-E1.pdf | |
 | B82477P4334M | 330µH Shielded Wirewound Inductor 1.02A 460 mOhm Max Nonstandard | B82477P4334M.pdf | |
 | T92P7A22-208 | General Purpose Relay DPST (2 Form A) 208VAC Coil Chassis Mount | T92P7A22-208.pdf | |
.jpg) | RC0603J134CS | RES SMD 130K OHM 5% 1/20W 0201 | RC0603J134CS.pdf | |
 | PLT0805Z3572LBTS | RES SMD 35.7KOHM 0.01% 1/4W 0805 | PLT0805Z3572LBTS.pdf |
