창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSVBAS20LT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BAS19(20,21)LT1, BAS21DW5T1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 200mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 150V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSVBAS20LT3G | |
관련 링크 | NSVBAS, NSVBAS20LT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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PA2729.443NL | 44µH Shielded Wirewound Inductor 6.2A 21.5 mOhm Max Nonstandard | PA2729.443NL.pdf | ||
![]() | ISC1812EBR10M | 100nH Shielded Wirewound Inductor 552mA 230 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812EBR10M.pdf | |
![]() | RNCF1206BTE184R | RES SMD 184 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BTE184R.pdf | |
![]() | CMF605K3000BEEB70 | RES 5.3K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF605K3000BEEB70.pdf | |
![]() | CMF654R0000FKRE | RES 4 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF654R0000FKRE.pdf | |
![]() | Y00774K00000A9L | RES 4K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00774K00000A9L.pdf | |
![]() | P51-200-S-G-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-S-G-D-5V-000-000.pdf | |
![]() | 0.25 INCH-D-4V | Pressure Sensor ±0.01 PSI (±0.06 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP Module | 0.25 INCH-D-4V.pdf |