ON Semiconductor NSVEMC2DXV5T1G
- 제조업체 부품 번호
- NSVEMC2DXV5T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS NPN/PNP 50V BIPOLAR SOT553
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NSVEMC2DXV5T1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 126.39375
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NSVEMC2DXV5T1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NSVEMC2DXV5T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVEMC2DXV5T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NSVEMC2DXV5T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NSVEMC2DXV5T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVEMC2DXV5T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | EMCxDXV5T1G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 프리 바이어스(베이스 콜렉터 접합) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-553 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-553 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NSVEMC2DXV5T1G | |
| 관련 링크 | NSVEMC2, NSVEMC2DXV5T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NSVEMC2DXV5T1G 의 관련 제품
 | LLG2C122MELZ40 | 1200µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | LLG2C122MELZ40.pdf | |
 | 2027-47-B10 | GDT 470V 15% 10KA THROUGH HOLE | 2027-47-B10.pdf | |
 | 416F40035CSR | 40MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40035CSR.pdf | |
 | 402F26022IAT | 26MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26022IAT.pdf | |
 | 25CTQ045STR | DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK | 25CTQ045STR.pdf | |
 | LQW18AN23NG80D | 23nH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 86 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN23NG80D.pdf | |
 | 1120-222K-RC | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 1.54 Ohm Max Radial | 1120-222K-RC.pdf | |
 | ERJ-1GNF88R7C | RES SMD 88.7 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF88R7C.pdf | |
 | MCR006YZPF3322 | RES SMD 33.2K OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YZPF3322.pdf | |
 | CP00072K700JE66 | RES 2.7K OHM 7W 5% AXIAL | CP00072K700JE66.pdf | |
| H4845KBCA | RES 845K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4845KBCA.pdf | |
 | HMC536LP2ETR | RF Switch IC Cellular SPDT 6GHz 50 Ohm 6-DFN (2x2) | HMC536LP2ETR.pdf |
