ON Semiconductor NSVMMUN2132LT1G

NSVMMUN2132LT1G
제조업체 부품 번호
NSVMMUN2132LT1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
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TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
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내부 부품 번호EIS-NSVMMUN2132LT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서MUN(2,5)132, MMUN2132L, DTA143Exx, NSBA143EF3
PCN 설계/사양Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)4.7k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce15 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대246mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NSVMMUN2132LT1G
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