ON Semiconductor NSVMMUN2217LT1G
- 제조업체 부품 번호
- NSVMMUN2217LT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NSVMMUN2217LT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 65.23542
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NSVMMUN2217LT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NSVMMUN2217LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMMUN2217LT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NSVMMUN2217LT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NSVMMUN2217LT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVMMUN2217LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MMUN2217L, NSVMMUN2217L | |
| PCN 설계/사양 | Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NSVMMUN2217LT1G | |
| 관련 링크 | NSVMMUN, NSVMMUN2217LT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NSVMMUN2217LT1G 의 관련 제품
 | VJ0805D391JLCAR | 390pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D391JLCAR.pdf | |
 | ECH-S1333JZ | 0.033µF Film Capacitor 100V Polyphenylene Sulfide (PPS) Radial 0.571" L x 0.217" W (14.50mm x 5.50mm) | ECH-S1333JZ.pdf | |
 | 109D687X9025K2 | 680µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 25V Axial 1.2 Ohm 0.406" Dia x 1.217" L (10.31mm x 30.91mm) | 109D687X9025K2.pdf | |
 | IP4285CZ6-TD,125 | TVS DIODE 5.5VWM 4.2VC SC74 | IP4285CZ6-TD,125.pdf | |
 | TD-22.5792MBD-T | 22.5792MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TD-22.5792MBD-T.pdf | |
| SIT5021AC-1BE-33VQ153.600000T | OSC XO 153.6MHZ VC 12.5 PPM PR | SIT5021AC-1BE-33VQ153.600000T.pdf | |
 | CPC7557NTR | IC DIODE BRIDGE 100V 250MA 8SOIC | CPC7557NTR.pdf | |
 | CM322522-1R0JL | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 230mA 690 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | CM322522-1R0JL.pdf | |
| HM61-20681LFTR13 | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 2.7 Ohm Nonstandard | HM61-20681LFTR13.pdf | |
.jpg) | RT0603BRD0794R2L | RES SMD 94.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0794R2L.pdf | |
.jpg) | PE2010FKM7W0R012L | RES SMD 0.012 OHM 1% 1W 2010 | PE2010FKM7W0R012L.pdf | |
| 21J500E | RES 500 OHM 1W 5% AXIAL | 21J500E.pdf |
