창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSVRB521S30T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RB521S30TxG, NSVRB521S30T1G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 500mV @ 200mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 10V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 125°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSVRB521S30T1G | |
관련 링크 | NSVRB52, NSVRB521S30T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
GRM0335C1H3R2CA01D | 3.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H3R2CA01D.pdf | ||
RPE5C2A152J2P1A03B | 1500pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.124" W(5.00mm x 3.15mm) | RPE5C2A152J2P1A03B.pdf | ||
MKP385610063JYI2T0 | 10µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | MKP385610063JYI2T0.pdf | ||
CDV19FF332FO3F | MICA | CDV19FF332FO3F.pdf | ||
MA-505 12.0000M-C3: ROHS | 12MHz ±50ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 12.0000M-C3: ROHS.pdf | ||
CMPT3904E TR | TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 | CMPT3904E TR.pdf | ||
IXBH28N170A | IGBT 1700V 30A 300W TO247AD | IXBH28N170A.pdf | ||
CRGH0805J43R | RES SMD 43 OHM 5% 1/3W 0805 | CRGH0805J43R.pdf | ||
AA1218FK-0715RL | RES SMD 15 OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-0715RL.pdf | ||
Y11216R81000B9L | RES SMD 6.81OHM 0.1% 1/4W J LEAD | Y11216R81000B9L.pdf | ||
CRCW080552R3FKEB | RES SMD 52.3 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080552R3FKEB.pdf | ||
HMC1120LP4E | RF Detector IC 0Hz ~ 3.9GHz -60dBm ~ 8dBm ±1dB 24-VFQFN Exposed Pad, CSP | HMC1120LP4E.pdf |