ON Semiconductor NTB5605PT4G
- 제조업체 부품 번호
- NTB5605PT4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTB5605PT4G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 509.87439
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTB5605PT4G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTB5605PT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTB5605PT4G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTB5605PT4G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTB5605PT4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTB5605PT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTB5605(P) | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 8.5A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 88W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | NTB5605PT4G-ND NTB5605PT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTB5605PT4G | |
| 관련 링크 | NTB56, NTB5605PT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTB5605PT4G 의 관련 제품
 | B43501A9127M67 | 120µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 550 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501A9127M67.pdf | |
 | GJM0335C1E2R2BB01D | 2.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E2R2BB01D.pdf | |
-14.jpg) | C2012X5R1A225M/1.25 | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R1A225M/1.25.pdf | |
| F339MX221031JDM2B0 | 1000pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339MX221031JDM2B0.pdf | |
 | 416F384XXCKT | 38.4MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384XXCKT.pdf | |
 | SLA4030 | TRANS 4NPN DARL 100V 4A 12SIP | SLA4030.pdf | |
 | IRG4BC40WPBF | IGBT 600V 40A 160W TO220AB | IRG4BC40WPBF.pdf | |
| 45-21UFC/S1047/TR8 | LED Indication - Discrete 2-SMD, J-Lead | 45-21UFC/S1047/TR8.pdf | |
 | TMC05030R00FE02 | RES CHAS MNT 30 OHM 1% 50W | TMC05030R00FE02.pdf | |
| AA1206FR-0736RL | RES SMD 36 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0736RL.pdf | |
| 95J82RE | RES 82 OHM 5W 5% AXIAL | 95J82RE.pdf | |
| V600-D8KR12 | RFID Tag Read/Write 8kB (User) Memory Encapsulated | V600-D8KR12.pdf |
