창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTB5605PT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTB5605(P) | |
PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
PCN 조립/원산지 | TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 8.5A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 88W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | NTB5605PT4G-ND NTB5605PT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTB5605PT4G | |
관련 링크 | NTB56, NTB5605PT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
MAL211653151E3 | 150µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | MAL211653151E3.pdf | ||
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FK14X7R2E223K | 0.022µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.177" L x 0.098" W(4.50mm x 2.50mm) | FK14X7R2E223K.pdf | ||
T95X475K020HSAL | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 2910 (7227 Metric) 1.5 Ohm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | T95X475K020HSAL.pdf | ||
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CRCW12065R90FKTA | RES SMD 5.9 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12065R90FKTA.pdf | ||
DP09H3015A15K | DP09 HOR 15P 30DET 15K M7*5MM | DP09H3015A15K.pdf | ||
HSCSHHN001PDAA5 | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.16" (3.94mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | HSCSHHN001PDAA5.pdf |