창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTB6413ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTB,NTP6413AN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | NTB6413ANT4G-ND NTB6413ANT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTB6413ANT4G | |
관련 링크 | NTB641, NTB6413ANT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | ERJ-PA3D3012V | RES SMD 30.1K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D3012V.pdf | |
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![]() | AA0402FR-073M6L | RES SMD 3.6M OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-073M6L.pdf | |
![]() | MCR18EZHF1273 | RES SMD 127K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF1273.pdf | |
![]() | RCP1206W36R0GWB | RES SMD 36 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W36R0GWB.pdf | |
![]() | DFNA1001ATS | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8VDFN | DFNA1001ATS.pdf |