창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTD20N06LT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTD20N06L | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014 Wafer Fab Expansion 24/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 48m옴 @ 10A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 990pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTD20N06LT4GOS NTD20N06LT4GOS-ND NTD20N06LT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTD20N06LT4G | |
관련 링크 | NTD20N, NTD20N06LT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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C2012JB1H684M125AB | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1H684M125AB.pdf | ||
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5KP8.0CA-G | TVS DIODE 8VWM 13.6VC R6 | 5KP8.0CA-G.pdf | ||
416F270X2ALT | 27MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F270X2ALT.pdf | ||
SIT8208AI-G-33E | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Enable/Disable | SIT8208AI-G-33E.pdf | ||
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SIT3809AI-D-18NY | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA | SIT3809AI-D-18NY.pdf | ||
RG2012N-683-D-T5 | RES SMD 68K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-683-D-T5.pdf | ||
TNPW080566K5BEEN | RES SMD 66.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080566K5BEEN.pdf | ||
RCP0505W51R0JS2 | RES SMD 51 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W51R0JS2.pdf | ||
TNPW201048K7BEEF | RES SMD 48.7K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201048K7BEEF.pdf |