창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTD25P03LT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTD25P03L | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 25A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1260pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTD25P03LT4GOS NTD25P03LT4GOS-ND NTD25P03LT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTD25P03LT4G | |
관련 링크 | NTD25P, NTD25P03LT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | C1608X7R1H332M | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X7R1H332M.pdf | |
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![]() | SB80W06T-H | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 4A TP | SB80W06T-H.pdf | |
![]() | IRGP4078D-EPBF | IGBT 600V 74A 278W TO247AD | IRGP4078D-EPBF.pdf | |
![]() | VLS252010ET-2R2M-CA | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252010ET-2R2M-CA.pdf | |
![]() | SCRH125B-470 | 47µH Shielded Inductor 2.48A 84 mOhm Max Nonstandard | SCRH125B-470.pdf | |
![]() | WSL1206R1800FEA18 | RES SMD 0.18 OHM 1% 1/2W 1206 | WSL1206R1800FEA18.pdf | |
![]() | PE4314A-Z | RF Attenuator 31.5dB @ 1MHz ~ 2.5GHz ±0.15dB 1MHz ~ 2.5GHz 75 Ohm 20-VFQFN Exposed Pad | PE4314A-Z.pdf | |
![]() | MSF4800B-14-0280-14-0280-10X-1 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800B-14-0280-14-0280-10X-1.pdf |