ON Semiconductor NTD4860NT4G
- 제조업체 부품 번호
- NTD4860NT4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTD4860NT4G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 272.51120
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTD4860NT4G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTD4860NT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4860NT4G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTD4860NT4G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTD4860NT4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTD4860NT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTD4860N | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.4A(Ta), 65A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1308pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 1.28W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTD4860NT4G | |
| 관련 링크 | NTD48, NTD4860NT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTD4860NT4G 의 관련 제품
 | 35NW54.7MEFC5X5 | 4.7µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 35NW54.7MEFC5X5.pdf | |
 | WMF1S27K | 0.027µF Film Capacitor 65V 100V Polyester Axial 0.236" Dia x 0.685" L (6.00mm x 17.40mm) | WMF1S27K.pdf | |
 | SE70PJHM3_A/I | DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A | SE70PJHM3_A/I.pdf | |
 | 784775022 | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 6A 10 mOhm Max Nonstandard | 784775022.pdf | |
 | 5022R-752F | 7.5µH Unshielded Inductor 765mA 550 mOhm Max 2-SMD | 5022R-752F.pdf | |
 | RSL116079 | EXTENDED HEIGHT, 4 POLE/10 AMP, | RSL116079.pdf | |
 | MCR18ERTFL2R40 | RES SMD 2.4 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTFL2R40.pdf | |
| MCR18EZHF1184 | RES SMD 1.18M OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF1184.pdf | |
.jpg) | RT0805BRD0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD0722R1L.pdf | |
 | Y0062500R000V0L | RES 500 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0062500R000V0L.pdf | |
| Y00651R20000F0L | RES 1.2 OHM 10W 1% RADIAL | Y00651R20000F0L.pdf | |
| PWD-5517-02-SMA-79 | RF Power Divider 12.4GHz ~ 18GHz Isolation (Min) 20dB Module | PWD-5517-02-SMA-79.pdf |
