창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTD6414ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTD6414AN | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTD6414ANT4G-ND NTD6414ANT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTD6414ANT4G | |
관련 링크 | NTD641, NTD6414ANT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
![]() | EEU-EB1C222B | 2200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | EEU-EB1C222B.pdf | |
![]() | 800A2R2BT250XT | 2.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | 800A2R2BT250XT.pdf | |
![]() | 06035C102K4T4A | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C102K4T4A.pdf | |
![]() | CBR08C808A1GAC | 0.80pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C808A1GAC.pdf | |
![]() | VJ0805D111GXPAJ | 110pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111GXPAJ.pdf | |
![]() | R6012025XXYA | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | R6012025XXYA.pdf | |
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