ON Semiconductor NTHD3100CT1G
- 제조업체 부품 번호
- NTHD3100CT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTHD3100CT1G 가격 및 조달
가능 수량
31150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 229.80672
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTHD3100CT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTHD3100CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHD3100CT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTHD3100CT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTHD3100CT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTHD3100CT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTHD3100C | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A, 3.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 2.9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 165pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NTHD3100CT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTHD3100CT1G | |
| 관련 링크 | NTHD31, NTHD3100CT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTHD3100CT1G 의 관련 제품
 | B43455A6337M | 330µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 10000 Hrs @ 85°C | B43455A6337M.pdf | |
 | VJ0402D3R6DLAAP | 3.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R6DLAAP.pdf | |
| VJ0805D270FLXAC | 27pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D270FLXAC.pdf | |
| MKP385230125JDM2B0 | 3000pF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385230125JDM2B0.pdf | |
 | 416F27011CAT | 27MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27011CAT.pdf | |
 | SRN6045TA-220M | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 96 mOhm | SRN6045TA-220M.pdf | |
 | HF1008R-331J | 330nH Unshielded Inductor 330mA 1.35 Ohm Max Nonstandard | HF1008R-331J.pdf | |
 | ERJ-12SF2870U | RES SMD 287 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF2870U.pdf | |
.jpg) | RT1206CRC0793K1L | RES SMD 93.1KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC0793K1L.pdf | |
.jpg) | PE2512JKM7W0R047L | RES SMD 0.047 OHM 5% 2W 2512 | PE2512JKM7W0R047L.pdf | |
 | CMF5533R200FKR670 | RES 33.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5533R200FKR670.pdf | |
| C78K2JT | RES 8.20K OHM 7W 5% AXIAL | C78K2JT.pdf |
