창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTHS4166NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTHS4166N | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 4.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTHS4166NT1G-ND NTHS4166NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTHS4166NT1G | |
관련 링크 | NTHS41, NTHS4166NT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | B32642B6333J | 0.033µF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) | B32642B6333J.pdf | |
![]() | ECS-80-18-5PDN-TR | 8MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-80-18-5PDN-TR.pdf | |
![]() | LP160F23CDT | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP160F23CDT.pdf | |
![]() | RLB0912-470KL | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 960mA 170 mOhm Max Radial | RLB0912-470KL.pdf | |
![]() | DAR71210P | Reed Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Chassis Mount | DAR71210P.pdf | |
![]() | UCR03EWPFSR024 | RES SMD 0.024 OHM 1% 1/4W 0603 | UCR03EWPFSR024.pdf | |
![]() | CRCW060384R5FKEA | RES SMD 84.5 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060384R5FKEA.pdf | |
![]() | CRCW12101K33FKEAHP | RES SMD 1.33K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12101K33FKEAHP.pdf |