ON Semiconductor NTLGD3502NT2G
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- NTLGD3502NT2G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
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- FET - 어레이
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- MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
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NTLGD3502NT2G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLGD3502NT2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTLGD3502N | |
| PCN 설계/사양 | Lead Finish/BOM Update 10/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A, 3.6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 4.3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-VDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DFN(3x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTLGD3502NT2G | |
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