ON Semiconductor NTLJS4114NT1G

NTLJS4114NT1G
제조업체 부품 번호
NTLJS4114NT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
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내부 부품 번호EIS-NTLJS4114NT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서NTLJS4114N
PCN 포장Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열µCool™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs35m옴 @ 2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds650pF @ 15V
전력 - 최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-WDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-WDFN(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름NTLJS4114NT1G-ND
NTLJS4114NT1GOSTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NTLJS4114NT1G
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