ON Semiconductor NTLUS4C12NTAG
- 제조업체 부품 번호
- NTLUS4C12NTAG
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTLUS4C12NTAG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 358.30067
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTLUS4C12NTAG, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTLUS4C12NTAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLUS4C12NTAG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTLUS4C12NTAG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTLUS4C12NTAG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLUS4C12NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTLUS4C12N | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1172pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 630mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTLUS4C12NTAG | |
| 관련 링크 | NTLUS4, NTLUS4C12NTAG Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTLUS4C12NTAG 의 관련 제품
.jpg) | CGA2B3X7R1H223K050BB | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B3X7R1H223K050BB.pdf | |
 | 12065C183KAT2A | 0.018µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065C183KAT2A.pdf | |
.jpg) | GCM2165C1H182JA16D | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GCM2165C1H182JA16D.pdf | |
 | CBR06C909D1GAC | 9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C909D1GAC.pdf | |
 | 2026-42-C3LF | GDT 420V 20% 20KA THROUGH HOLE | 2026-42-C3LF.pdf | |
 | RLB0914-221KL | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 600 mOhm Max Radial | RLB0914-221KL.pdf | |
.jpg) | HKQ0603W3N0C-T | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W3N0C-T.pdf | |
 | HLC028R2GTTR | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 315mA 800 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | HLC028R2GTTR.pdf | |
 | PE-53362NL | 1.1µH Unshielded Toroidal Inductor 21A 2.5 mOhm Max Nonstandard | PE-53362NL.pdf | |
 | S0402-15NH1E | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 220 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-15NH1E.pdf | |
 | RGC0805DTC14K7 | RES SMD 14.7K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RGC0805DTC14K7.pdf | |
 | YR1B32R4CC | RES 32.4 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B32R4CC.pdf |
