ON Semiconductor NTLUS4C12NTBG
- 제조업체 부품 번호
- NTLUS4C12NTBG
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTLUS4C12NTBG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 358.30067
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTLUS4C12NTBG, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTLUS4C12NTBG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLUS4C12NTBG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTLUS4C12NTBG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTLUS4C12NTBG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLUS4C12NTBG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTLUS4C12N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1172pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 630mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTLUS4C12NTBG | |
| 관련 링크 | NTLUS4, NTLUS4C12NTBG Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTLUS4C12NTBG 의 관련 제품
 | C911U102MUWDBAWL35 | 1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U102MUWDBAWL35.pdf | |
 | MCM01-009EF681J-F | 680pF Mica Capacitor 1000V (1kV) Nonstandard SMD 0.460" L x 0.400" W (11.68mm x 10.16mm) | MCM01-009EF681J-F.pdf | |
 | 416F520X3AAR | 52MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520X3AAR.pdf | |
 | 402F32022IDT | 32MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F32022IDT.pdf | |
 | DOC100F-020.0M | 20MHz LVCMOS OCXO Oscillator Surface Mount 3.3V | DOC100F-020.0M.pdf | |
 | AST3TQ53-T-19.200MHZ-1-SW-T5 | 19.2MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-T-19.200MHZ-1-SW-T5.pdf | |
 | TZS4678-GS08 | DIODE ZENER 1.8V 500MW SOD80 | TZS4678-GS08.pdf | |
| 1N4561RB | DIODE ZENER 5.6V 50W TO204AD | 1N4561RB.pdf | |
 | SIHP15N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB | SIHP15N60E-GE3.pdf | |
 | 4600-009LF | Feed Through Capacitor 200V 15A Axial, Bushing, 1 Turret Lead | 4600-009LF.pdf | |
 | LQH32PN6R8NNCL | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 264 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32PN6R8NNCL.pdf | |
| Y1453300R000F9L | RES 300 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y1453300R000F9L.pdf |
