창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMD3P03R2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | N(T,V)MD3P03 | |
PCN 설계/사양 | Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.34A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.05A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 24V | |
전력 - 최대 | 730mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTMD3P03R2GOS NTMD3P03R2GOS-ND NTMD3P03R2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMD3P03R2G | |
관련 링크 | NTMD3, NTMD3P03R2G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | L175J3R0E | RES CHAS MNT 3 OHM 5% 175W | L175J3R0E.pdf | |
![]() | RT0805DRD07196KL | RES SMD 196K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD07196KL.pdf | |
![]() | AA1218JK-071K2L | RES SMD 1.2K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218JK-071K2L.pdf | |
![]() | RT1206WRB07910RL | RES SMD 910 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB07910RL.pdf | |
![]() | PTN1206E7503BST1 | RES SMD 750K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E7503BST1.pdf | |
![]() | CRCW040210M0FKEE | RES SMD 10M OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040210M0FKEE.pdf | |
![]() | CRA06S083360KJTA | RES ARRAY 4 RES 360K OHM 1206 | CRA06S083360KJTA.pdf |